瞬(shun)態(tai)電(dian)壓抑(yi)制器在(zai)長(chang)時(shi)間未使(shi)用(yong)初(chu)次(ci)使(shi)用(yong)時(shi)，應先通10-15分鐘(zhong)淋(lin)洗(xi)液後(hou)在(zai)加工(gong)作(zuo)電(dian)流，有(you)益(yi)於延長(chang)使(shi)用(yong)壽命。應在(zai)15-50攝氏(shi)度(du)範(fan)圍內使(shi)用(yong)，壹般(ban)采用(yong)自動調(tiao)整，有(you)的也設(she)有手(shou)動(dong)調(tiao)整。放(fang)置音箱(xiang)和(he)傳聲器時(shi)要(yao)註(zhu)意(yi)傳聲器不(bu)要(yao)直(zhi)接對著(zhe)音箱(xiang)。把傳聲器放(fang)置在(zai)幾個(ge)主(zhu)要(yao)的表(biao)演區域(yu)內，可(ke)以(yi)用(yong)傳聲器架(jia)固定(ding)，也可以(yi)讓演(yan)員(yuan)模擬(ni)演(yan)出(chu)。把調(tiao)音臺(tai)的輸出(chu)電(dian)平拉(la)至低位置，依(yi)次(ci)打開調(tiao)音臺(tai)、FBX和(he)其他(ta)附屬(shu)設(she)備，後(hou)打開功(gong)放(fang)，然後(hou)調整調(tiao)音臺(tai)每(mei)個聲(sheng)道(dao)平衡，把擴(kuo)聲系(xi)統主(zhu)輸(shu)出(chu)設至(zhi)低。
 

　　瞬態(tai)電(dian)壓抑(yi)制器在(zai)化(hua)學抑(yi)制型(xing)離(li)子(zi)色(se)譜中(zhong)主(zhu)要(yao)起(qi)兩個作(zuo)用(yong)，壹是(shi)降低淋(lin)洗(xi)液的背景電(dian)導(dao)，二(er)是(shi)增(zeng)加(jia)被測離子(zi)的電(dian)導(dao)值，改善(shan)信噪比(bi)。工(gong)作(zuo)性(xing)能的好壞(huai)對分(fen)析(xi)結果(guo)有(you)很(hen)大(da)的影響(xiang)。常(chang)見(jian)的故(gu)障(zhang)是(shi)漏(lou)液(ye)，使(shi)峰(feng)面(mian)積(ji)減(jian)小(xiao)(靈敏(min)度(du)下(xia)降)和(he)背(bei)景電(dian)導(dao)升(sheng)高(gao)。
 

　　1、峰面(mian)積(ji)減(jian)小(xiao)
 

　　造(zao)成(cheng)峰面(mian)積(ji)減(jian)小(xiao)的主(zhu)要(yao)原(yuan)因(yin)有：微膜脫(tuo)水、抑(yi)制器漏(lou)液(ye)、溶液流路(lu)不(bu)暢(chang)和(he)微(wei)膜被玷汙。抑(yi)制器不(bu)用(yong)，會發(fa)生微膜脫(tuo)水現象，為(wei)激(ji)活抑(yi)制器，可(ke)用(yong)註射(she)器制(zhi)器內(nei)以(yi)淋(lin)洗(xi)液流(liu)路(lu)相(xiang)反的方向註入少許(xu)0.2mol/L硫(liu)酸(suan);陽(yang)離子(zi)用(yong)0.2mol/L氫(qing)氧化(hua)鈉(na)。同(tong)時(shi)向再生液進口註入少許(xu)去離子(zi)水(shui)，並(bing)將(jiang)抑(yi)制器放(fang)置半(ban)小(xiao)時(shi)以(yi)上(shang)。抑(yi)制器內(nei)玷汙的金(jin)屬(shu)離(li)子(zi)可(ke)以(yi)用(yong)草(cao)酸溶液清洗(xi)。
 

　　2、背景電(dian)導(dao)高(gao)
 

　　在(zai)化(hua)學抑(yi)制型(xing)電(dian)導(dao)檢(jian)測分析(xi)過程(cheng)中，若(ruo)背(bei)景電(dian)導(dao)高(gao)，則說(shuo)明抑(yi)制器部分存(cun)在(zai)壹定(ding)問(wen)題。大(da)多數是(shi)操(cao)作(zuo)不(bu)當引起(qi)的。例如：淋(lin)洗(xi)液或再(zai)生液流路(lu)堵(du)塞，系(xi)統中(zhong)無(wu)溶(rong)液(ye)流(liu)動(dong)造(zao)成(cheng)背景電(dian)導(dao)偏高(gao)或使(shi)用(yong)的電(dian)抑(yi)制器其電(dian)流設(she)置的太小(xiao)等。膜被(bei)汙染後(hou)交(jiao)換(huan)容易(yi)下(xia)降亦會使(shi)背(bei)景電(dian)導(dao)升(sheng)高(gao)。而失效的抑(yi)制器在(zai)使(shi)用(yong)時(shi)會出(chu)現背景電(dian)導(dao)持(chi)續(xu)升(sheng)高(gao)的現象，此(ci)時(shi)應更(geng)換(huan)壹支(zhi)新(xin)的抑(yi)制器。
 

　　3、漏(lou)液(ye)
 

　　漏液的主(zhu)要(yao)原(yuan)因(yin)是(shi)抑(yi)制器內(nei)的微膜(mo)沒有(you)充(chong)分(fen)水(shui)化(hua)。因(yin)此，長(chang)時(shi)間未使(shi)用(yong)的抑(yi)制器在(zai)使(shi)用(yong)前(qian)應先讓微(wei)膜(mo)水(shui)化(hua)溶(rong)脹(zhang)後(hou)再使(shi)用(yong)。另(ling)要(yao)再(zai)生液出(chu)口順(shun)暢(chang)，因(yin)為(wei)反壓較(jiao)大(da)時(shi)也(ye)會造(zao)成(cheng)漏液。另(ling)外(wai)，由(you)於保管不(bu)當造(zao)成(cheng)抑(yi)制器內(nei)的微膜(mo)收縮(suo)、破(po)裂(lie)也會發(fa)生漏液現象。