MOSFET驅(qu)動電(dian)路(lu)類(lei)型的研(yan)究與測試(shi)

引(yin) 言

MOSFET是種(zhong)多子導電(dian)的單電(dian)壓(ya)器(qi)件(jian)，具(ju)有開關(guan)速(su)度(du)快(kuai)、輸入(ru)阻(zu)抗(kang)、驅(qu)動功(gong)率(lv)小(xiao)、熱(re)穩(wen)定好、工(gong)作區(qu)寬、無二(er)次擊穿(chuan)等優(you)點，在(zai)諸(zhu)多領域中獲得(de)了越(yue)來(lai)越(yue)的應(ying)用(yong)。為(wei)了(le)適(shi)應(ying)不(bu)同場合(he)下(xia)的使用(yong)要求(qiu)，類(lei)型的MOSFET驅(qu)動電(dian)路(lu)也相繼(ji)出現。不(bu)同驅(qu)動電(dian)路(lu)的驅(qu)動能(neng)力不(bu)同，輸入(ru)驅(qu)動波形受(shou)到的影(ying)響(xiang)也有所(suo)不(bu)同，所(suo)以對(dui)不(bu)同類(lei)型的MOSFET驅(qu)動電(dian)路(lu)進(jin)行研(yan)究和測試(shi)就顯(xian)得(de)重要。

MOSFET對(dui)驅(qu)動電(dian)路(lu)的設(she)計(ji)要求(qiu)

由於MOSFET的開(kai)關(guan)特(te)與(yu)驅(qu)動電(dian)路(lu)的能(neng)密切(qie)相關，設(she)計(ji)的驅(qu)動電(dian)路(lu)能(neng)夠地改善MOSFET的開(kai)關(guan)特(te)，從(cong)而減少開(kai)關損(sun)耗(hao)，提整(zheng)機效率(lv)及(ji)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)工(gong)作的穩(wen)定。因(yin)此MOSFET驅(qu)動電(dian)路(lu)應(ying)以下(xia)要求(qiu)：
① 導通(tong)時驅(qu)動電(dian)路(lu)應(ying)該能(neng)夠提供足夠大(da)的驅(qu)動電(dian)流(liu)為(wei)輸入(ru)電(dian)容(rong)充電(dian)，使MOSFET柵(zha)源(yuan)電(dian)壓(ya)迅(xun)速(su)上升到(dao)所(suo)需(xu)值(zhi)，開關(guan)管能(neng)迅(xun)速(su)導(dao)通(tong)且(qie)不(bu)存在(zai)上升沿(yan)的頻(pin)振蕩(dang)。
② 為(wei)使MOSFET可(ke)靠(kao)導(dao)通(tong)，柵(zha)電(dian)壓(ya)（驅(qu)動電(dian)壓(ya)）應(ying)於(yu)開(kai)啟(qi)電(dian)壓(ya)UT（3～5V）,為(wei)減(jian)小(xiao)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)及(ji)導(dao)通(tong)損(sun)耗(hao)，應(ying)在(zai)不(bu)過柵(zha)擊(ji)穿(chuan)電(dian)壓(ya)的前(qian)提下(xia)盡(jin)量(liang)加大柵驅(qu)動電(dian)壓(ya)。
③ 為(wei)加(jia)速(su)關(guan)斷，在關(guan)斷時建立(li)負的柵(zha)源(yuan)電(dian)壓(ya)，並(bing)給(gei)輸入(ru)電(dian)容(rong)提供低阻(zu)抗(kang)的放(fang)電(dian)通(tong)道(dao)以加(jia)速電(dian)容(rong)放(fang)電(dian)，開(kai)關(guan)管能(neng)夠關(guan)斷。
④ 關斷期間(jian)驅(qu)動電(dian)路(lu)能(neng)提供的負電(dian)壓(ya)以避(bi)免受(shou)到幹(gan)擾(rao)產(chan)生(sheng)誤(wu)導通(tong)。
⑤ 要求(qiu)驅(qu)動電(dian)路(lu)結構(gou)簡(jian)單可(ke)靠(kao)，損(sun)耗(hao)小(xiao)，有。

MOSFET驅(qu)動電(dian)路(lu)的常見(jian)類(lei)型及特(te)點

常見(jian)的MOSFET驅(qu)動電(dian)路(lu)可(ke)以分為(wei)直接驅(qu)動型和驅(qu)動型兩(liang)種(zhong)。直接驅(qu)動包括推挽輸出驅(qu)動、 TTL驅(qu)動和CMOS驅(qu)動等； 型驅(qu)動包括光耦和磁(ci)耦合(he)兩(liang)種(zhong)形式。

1 推(tui)挽式(shi)直接驅(qu)動電(dian)路(lu)

推(tui)挽式(shi)驅(qu)動是zui常用(yong)的直接驅(qu)動方式，適(shi)用(yong)於不(bu)要求(qiu)的小(xiao)功(gong)率(lv)開(kai)關(guan)設(she)備(bei)。它(ta)采(cai)用(yong)對(dui)NPN和PNP晶體管搭(da)建而成，可以實(shi)現導通(tong)時輸出較(jiao)大的驅(qu)動電(dian)流(liu)，關(guan)斷時為(wei)柵(zha)電(dian)荷(he)提供低阻(zu)的放(fang)電(dian)回(hui)路(lu)，同時晶體管工(gong)作於(yu)射(she)跟隨，不(bu)會出(chu)現飽和。

功(gong)率(lv)MOSFET屬(shu)於(yu)電(dian)壓(ya)型(xing)器(qi)件(jian)，只(zhi)要柵(zha)和源(yuan)之間(jian)施(shi)加的電(dian)壓(ya)過其(qi)閾(yu)值(zhi)電(dian)壓(ya)就會(hui)導(dao)通(tong)。由(you)於(yu)MOSFET存在(zai)結電(dian)容(rong)，關(guan)斷時其漏源(yuan)兩(liang)端電(dian)壓(ya)的突(tu)然上升將會通(tong)過結電(dian)容(rong)在(zai)柵源(yuan)兩(liang)端產(chan)生(sheng)幹(gan)擾(rao)電(dian)壓(ya)。常用(yong)的推(tui)挽式(shi)直接驅(qu)動電(dian)路(lu)的關(guan)斷回路(lu)阻(zu)抗(kang)小(xiao)，關(guan)斷速度(du)較(jiao)快(kuai)。但(dan)它(ta)不(bu)能(neng)提供負壓(ya)，故(gu)其(qi)較(jiao)差。其電(dian)路(lu)和實(shi)驗(yan)波形圖如圖1所(suo)示。