減(jian)碳是(shi)近(jin)年(nian)來(lai)關註的議(yi)題(ti)，根據(ju)能源(yuan)署(shu)(IEA)數據(ju)顯(xian)示(shi)，照(zhao)明耗能占(zhan)總能(neng)耗(hao)之(zhi)19.5%。LED相較(jiao)於(yu)其他照(zhao)明燈源(yuan)為(wei)省(sheng)電(dian)、長(chang)壽(shou)命(ming)且具(ju)環保(bao)概(gai)念(nian)，使(shi)得LED市場(chang)於(yu)近年(nian)來(lai)擴(kuo)張迅速(su)。LED搭(da)配燈具(ju)設(she)計，於(yu)居(ju)家、展(zhan)會(hui)、工(gong)業照(zhao)明、路(lu)燈、屏(ping)幕(mu)廣(guang)告(gao)牌等(deng)應(ying)用(yong)場(chang)合(he)可(ke)取代各式(shi)光(guang)源，其應(ying)用(yong)面(mian)與(yu)省(sheng)電(dian)之(zhi)優勢(shi)已成為(wei)國家推(tui)廣(guang)政(zheng)策(ce)之(zhi)方(fang)向(xiang)。

非架構於(yu)中小功(gong)率LED方(fang)案(an)具(ju)有(you)成本(ben)優(you)勢(shi)，如(ru)采(cai)用(yong)具(ju)功(gong)率因數校(xiao)正之(zhi)降壓(ya)(Buck)、升降壓(ya)(Buck-boost)轉(zhuan)換器。但(dan)為(wei)避免(mian)人(ren)員(yuan)與(yu)電(dian)壓(ya)電(dian)源(yuan)接(jie)觸(chu)之(zhi)考慮(lv)，眾多LED應(ying)用(yong)要求變(bian)壓(ya)器等(deng)之(zhi)絕緣(yuan)，如(ru)可攜(xie)式(shi)LED驅(qu)動(dong)電(dian)源(yuan)、路(lu)燈等(deng)，甚(shen)至部份取代白(bai)熾燈或(huo)熒(ying)光燈之(zhi)應(ying)用(yong)場(chang)合(he)仍(reng)求要絕緣(yuan)。基於(yu)空間與(yu)成本(ben)之(zhi)考慮(lv)，反激(ji)式(shi)轉(zhuan)換器(Flyback converter)為型(xing)中小功(gong)率應(ying)用(yong)下(xia)zui為(wei)理(li)想(xiang)之(zhi)架構。雖(sui)然，LED負載特不(bu)如(ru)般(ban)電(dian)子負載復雜而使(shi)得設(she)計上(shang)有(you)許多發揮(hui)空間(jian)，但(dan)在(zai)市場(chang)競(jing)爭(zheng)壓(ya)力下(xia)，針(zhen)對(dui)系統客(ke)制(zhi)化、共(gong)享、強(qiang)健(jian)度等(deng)不同應(ying)用(yong)需(xu)求(qiu)，有(you)不(bu)同之(zhi)驅(qu)動(dong)器電(dian)路(lu)之(zhi)優化設(she)計考慮(lv)。於(yu)此，本(ben)文(wen)主(zhu)要探討單(dan)反(fan)激(ji)式(shi)轉(zhuan)換器應(ying)用(yong)於(yu)LED驅(qu)動(dong)器之(zhi)設計(ji)與除錯經(jing)驗(yan)。

單(dan)功(gong)率因數反激式(shi)轉(zhuan)換器之(zhi)產品(pin)設計(ji)考慮

為提能源(yuan)使(shi)用(yong)效(xiao)益(yi)，各地能(neng)源(yuan)部針對(dui)照(zhao)明類(lei)有(you)立(li)規範，總諧(xie)波失真(zhen)(THD) 較(jiao)多規範小於(yu)2，部份地區(如俄(e)羅(luo)斯(si))則須(xu)1，各次諧(xie)波失真(zhen)則參(can)照(zhao)EN61000-3-2之(zhi)Harmonic Class C單(dan)元(yuan)。若(ruo)為外置(zhi)式(shi)電(dian)源(yuan)，廠(chang)商(shang)須參照(zhao)加州能(neng)源法(CEC)與歐(ou)盟(meng)指令(EuP)之(zhi)平(ping)均效率(lv)與待(dai)機功(gong)耗做為(wei)設(she)計依(yi)據(ju)。傳統升壓(ya)型(xing)功(gong)率因數修正電(dian)路(lu)搭(da)配反激式(shi)轉(zhuan)換器之(zhi)雙(shuang)架構可(ke)輕(qing)易(yi)THD規格(ge)需(xu)求(qiu)，但(dan)考(kao)慮中小功(gong)率應(ying)用(yong)之(zhi)成本(ben)與(yu)體積，具(ju)功(gong)率因數修正之(zhi)單(dan)反(fan)激(ji)式(shi)轉(zhuan)換器 (Single stage Flyback Converter with PFC) 不整機效率，能(neng)貼近電(dian)源(yuan)設(she)計(ji)廠之(zhi)需(xu)求(qiu)。原(yuan)因(yin)在(zai)於(yu)驅(qu)動(dong)LED相較(jiao)於(yu)其他型(xing)電(dian)子負載或充電(dian)器(qi)可(ke)容許較(jiao)大的輸出漣波(bo)電(dian)流(liu)，且較(jiao)少(shao)考慮到(dao)保(bao)持時(shi)間(jian) (Hold-up time)，因此大幅降低(di)儲(chu)能(neng)組(zu)件之(zhi)體積。

單(dan)功(gong)率因數反激式(shi)轉(zhuan)換器在LED電(dian)源(yuan)廠(chang)已(yi)被采(cai)用(yong)，單(dan)轉(zhuan)換器在架構上(shang)分(fen)為次調(tiao)節(Secondary Side Regulation, SSR)與初(chu)調節(Primary Side Regulation, PSR)，後者(zhe)使(shi)電(dian)路(lu)設(she)計加精簡(jian)。為(wei)節省(sheng)變(bian)壓(ya)器體積並提(ti)升效率，中小功(gong)率常選(xuan)擇(ze)操作(zuo)在臨(lin)界導(dao)通(Critical Conduction Mode, CrM)或不(bu)連(lian)續(xu)導(dao)通模(mo)式(shi)(Discontinue Conduction Mode, DCM)。目前各家半導(dao)體廠提(ti)出之(zhi)解決方(fang)案(an)皆(jie)能(neng)達成小(xiao)範圍之(zhi)定電(dian)流(liu)誤(wu)差(cha)及完善的保(bao)護(hu)功(gong)能，工(gong)程師毋須額(e)外費心設計的電(dian)路(lu)。然而，電(dian)源(yuan)設(she)計(ji)時(shi)得(de)盤考慮規格(ge)，除錯實(shi)務(wu)並未然涵(han)蓋於(yu)IC應(ying)用(yong)手冊，若(ruo)能*時(shi)間(jian)掌握設計概要則可(ke)縮短(duan)產(chan)品(pin)開發周(zhou)期。因此(ci)，以(yi)下(xia)針(zhen)對(dui)轉(zhuan)換器設計(ji)部份匯整常見之(zhi)問(wen)題(ti)並做(zuo)進步(bu)的探討與(yu)分(fen)享：

(a) 定電(dian)流(liu)度(du)問(wen)題(ti)

初(chu)調節多操作(zuo)在BCM或DCM模(mo)式(shi)，藉(ji)由已知(zhi)的繞組(zu)圈數，透過(guo)精密(mi)電(dian)阻(zu)偵(zhen)測初(chu)峰值(zhi)電(dian)流(liu)與(yu)輔(fu)助(zhu)繞組(zu)偵(zhen)測次泄(xie)磁時(shi)間(jian)以(yi)推(tui)算輸(shu)出電(dian)流(liu)。然而此(ci)模(mo)式(shi)下(xia)有(you)幾(ji)項(xiang)因(yin)素影(ying)響(xiang)定電(dian)流(liu)度(du)：

1. 導(dao)通延遲(chi)時(shi)間(jian)(Propagation delay)：來(lai)自於(yu)IC放(fang)大與(yu)功(gong)率半導(dao)體開關的延遲(chi)，低電(dian)壓(ya)輸入(ru)的影(ying)響(xiang)能量傳遞。此誤(wu)差(cha)無法藉由人(ren)工(gong)調節縮小(xiao)差(cha)異(yi)，zui簡(jian)易(yi)方(fang)式(shi)為(wei)透過(guo)輸入(ru)電(dian)壓(ya)偵(zhen)測值(zhi)進行峰值(zhi)電(dian)流(liu)補償以(yi)縮小(xiao)低(di)壓(ya)輸入(ru)之(zhi)差(cha)異(yi)，可(ke)透過(guo)繞組(zu)或壓(ya)線方(fang)式(shi)來(lai)達成，如(ru)圖(tu)1所示(shi)。

2. 峰值(zhi)電(dian)流(liu)偵(zhen)測誤(wu)差(cha) : 源自於(yu)峰值(zhi)電(dian)流(liu)偵(zhen)測電(dian)阻(zu)與(yu)經(jing)過(guo)低通(tong)濾波(bo)器後(hou)訊號(hao)之(zhi)差(cha)異(yi)，IC在(zai)取樣(Sample)至維持(hold)過(guo)程中存有愈(yu)長的時(shi)間(jian)將造(zao)成偵(zhen)測之(zhi)電(dian)流(liu)低(di)於(yu)實(shi)際(ji)電(dian)流(liu)，此(ci)與(yu)IC取樣速度相關。由於(yu)此型(xing)誤(wu)差(cha)為定向(xiang)關系，可藉由電(dian)阻(zu)微(wei)調(tiao)改(gai)善(shan)。

3. 泄磁偵(zhen)測延遲(chi)：IC藉由判斷輔(fu)助(zhu)繞組(zu)諧(xie)振至(zhi)低(di)準位(wei)作(zuo)為次電(dian)流(liu)截止(zhi)之(zhi)依據(ju)，但(dan)在(zai)諧(xie)振期(qi)間(jian)已(yi)無存在次電(dian)流(liu)，故(gu)造(zao)成次泄(xie)磁時(shi)間(jian)之(zhi)偵(zhen)測誤(wu)差(cha)，如圖(tu)2所示(shi)。此誤(wu)差(cha)嚴(yan)重程(cheng)度與取決於(yu)雜散(san)電(dian)容與(yu)變(bian)壓(ya)器激(ji)磁電(dian)感(gan)之(zhi)諧(xie)振周(zhou)期相關，若(ruo)減(jian)小並聯(lian)之(zhi)雜散(san)效應(ying)將加(jia)劇電(dian)磁(ci)幹(gan)擾(rao)之(zhi)頻段(duan)部份。建議(yi)以(yi)外部補償方(fang)式(shi)克(ke)服。

圖(tu)1. Propagation delay在低(di)壓(ya)輸入(ru)產生(sheng)之(zhi)誤差(cha)

圖(tu)2. ZCD偵(zhen)測之(zhi)時(shi)間(jian)延遲(chi)

(b) IC輔(fu)助(zhu)電(dian)源(yuan)設(she)計(ji)

LED驅(qu)動(dong)器能支持寬廣(guang)輸(shu)出電(dian)壓(ya)是(shi)大賣(mai)點(dian)，可擴(kuo)大產(chan)品(pin)的應(ying)用(yong)範圍。對(dui)於(yu)定電(dian)流(liu)電(dian)源(yuan)，變(bian)壓(ya)器設(she)計是(shi)以(yi)zui輸(shu)出電(dian)壓(ya)為考(kao)慮，而(er)輔(fu)助(zhu)供(gong)電(dian)得(de)考(kao)慮(lv)輕(qing)載(zui低輸(shu)出電(dian)壓(ya))時(shi)VCC電(dian)壓(ya)仍(reng)能維持在欠電(dian)壓(ya)鎖定(Under Voltage Lock Out, UVLO) 之(zhi)上(shang)，並且遠(yuan)於(yu)主(zhu)開關功(gong)率半導(dao)體之(zhi)驅(qu)動(dong)電(dian)壓(ya)上(shang)限(xian)以(yi)減(jian)少(shao)導(dao)通損(sun)。若(ruo)輸出電(dian)壓(ya)變(bian)動(dong)有(you)2倍(bei)以(yi)上(shang)，輔(fu)助(zhu)供(gong)電(dian)若(ruo)過(guo)VCC耐壓(ya)上(shang)則仰(yang)賴雙(shuang)晶(jing)體管 (Bipolar NPN) 組(zu)成之(zhi)線穩壓(ya)電(dian)路(lu)，在(zai)壓(ya)輸出時(shi)功(gong)率損(sun)耗多半集中於(yu)NPN晶(jing)體管。若(ruo)改(gai)采(cai)用(yong)充電(dian)幫浦型(xing)式(shi)之(zhi)供電(dian)可(ke)省(sheng)去(qu)輔(fu)助(zhu)繞組(zu)且減(jian)少(shao)線穩壓(ya)供電(dian)之(zhi)損(sun)耗，此(ci)法將增(zeng)加(jia)功(gong)率晶(jing)體開關於(yu)主(zhu)開關之(zhi)源，然而，此(ci)方(fang)式(shi)若(ruo)欲(yu)實(shi)現(xian)過(guo)壓(ya)保(bao)護(hu)得(de)藉(ji)由次Zener二(er)管偵(zhen)測反(fan)饋回初(chu)側(ce)達成過(guo)壓(ya)保(bao)護(hu)，產(chan)品(pin)設計(ji)者(zhe)得(de)恒(heng)量額(e)外增加之(zhi)成本(ben)與(yu)其帶(dai)來(lai)之(zhi)效益(yi)。

(c) 變(bian)壓(ya)器圈數比設計考慮

變(bian)壓(ya)器圈數比設計是(shi)功(gong)率因數反激式(shi)轉(zhuan)器zui為(wei)重要之(zhi)環節，其不(bu)決定初(chu)與次功(gong)率晶(jing)體之(zhi)選用(yong)，亦(yi)影(ying)響(xiang)總諧(xie)波失真(zhen)。理(li)想(xiang)上(shang)，反(fan)激式(shi)轉(zhuan)換器設計(ji)在定頻且不(bu)連(lian)續(xu)導(dao)通模(mo)式(shi)情(qing)況下(xia)能(neng)達(da)到(dao)接近(jin)1的功(gong)率因數值(zhi)，原(yuan)因(yin)為(wei)：開關導(dao)通時(shi)變(bian)壓(ya)器初(chu)電(dian)流(liu)線(xian)正(zheng)比於(yu)輸入電(dian)壓(ya)，而在(zai)開關周(zhou)期結(jie)束(shu)前(qian)變(bian)壓(ya)器已(yi)釋能而(er)不(bu)受(shou)輸出電(dian)壓(ya)之(zhi)影(ying)響(xiang)，使轉(zhuan)換器之(zhi)輸入(ru)電(dian)流(liu)等(deng)比於(yu)輸入電(dian)壓(ya)。轉(zhuan)換器考慮(lv)較(jiao)低的開關損(sun)耗可(ke)工(gong)作(zuo)於(yu)臨(lin)界導(dao)通模(mo)式(shi)，然而，此(ci)模(mo)式(shi)在(zai)壓(ya)輸入(ru)占(zhan)空比(Duty Cycle)伴隨接近AC峰(feng)值(zhi)處(chu)遞減(jian)，使瞬(shun)時(shi)平(ping)均電(dian)流(liu)未能(neng)隨(sui)輸入(ru)電(dian)壓(ya)之(zhi)比例提(ti)升，此情(qing)況與(yu)與(yu)低(di)壓(ya)輸入(ru)時(shi)差(cha)異(yi)甚(shen)大。故(gu)壓(ya)輸入(ru)時(shi)易(yi)發覺(jiao)輸入(ru)電(dian)流(liu)接(jie)近(jin)AC波峰處(chu)顯(xian)得(de)平(ping)坦，如(ru)圖(tu)3所示(shi)。

圖(tu)3. 壓(ya)輸入(ru)之(zhi)失真(zhen)電(dian)流(liu)示(shi)意(yi)圖(tu)

針對(dui)此(ci)現(xian)象(xiang)，分(fen)析(xi)圈數比之(zhi)設計(ji)與總(zong)諧(xie)波失真(zhen)之(zhi)關系，根據(ju)理論(lun)近(jin)似(si)推導(dao)而繪出如圖(tu)4，其中Kv為AC峰(feng)值(zhi)電(dian)壓(ya)與次電(dian)壓(ya)透過(guo)圈數比映(ying)乘至初(chu)之(zhi)電(dian)壓(ya)比例。

圖(tu)4. Kv與總(zong)諧(xie)波失真(zhen)之(zhi)對(dui)應(ying)關系

如上(shang)結(jie)果(guo)得(de)知(zhi)，采(cai)用(yong)大圈數比之(zhi)設計(ji)改(gai)善(shan)失真(zhen)電(dian)流(liu)，其原(yuan)理(li)如(ru)同設想轉(zhuan)換器於(yu)低電(dian)壓(ya)輸入(ru)時(shi)之(zhi)占(zhan)空比狀態(tai)，輸(shu)入電(dian)流(liu)在(zai)AC峰(feng)值(zhi)處(chu)將明顯(xian)提(ti)升，使之(zhi)塑型(xing)接(jie)近(jin)於(yu)電(dian)壓(ya)弦波(bo)。針(zhen)對(dui)變(bian)壓(ya)器圈數比之(zhi)設計(ji)與組(zu)件耐(nai)壓(ya)關系，下(xia)圖(tu)為輸(shu)入277Vac初(chu)與次晶(jing)體承受(shou)之(zhi)電(dian)壓(ya)應(ying)力，圖(tu)中橫軸(zhou)為(wei)Kv值(zhi)，縱(zong)軸(zhou)為(wei)電(dian)壓(ya)單(dan)位(wei)：

圖(tu)5. Kv 值(zhi)與(yu)初(chu)次組(zu)件耐(nai)壓(ya)之(zhi)關系

經(jing)由以(yi)上(shang)分(fen)析(xi)，我(wo)們(men)得(de)知(zhi)大圈數比之(zhi)設計(ji)有益(yi)於(yu)提升功(gong)率因數值(zhi)，且次可(ke)選用(yong)低(di)順向(xiang)導(dao)通壓(ya)降之(zhi)蕭(xiao)基二(er)管以(yi)減(jian)少(shao)導(dao)通損(sun)，反之(zhi)，初(chu)開關得承(cheng)受(shou)較(jiao)的電(dian)壓(ya)應(ying)力。由於(yu)此架構對(dui)於(yu)突(tu)波(bo)耐受(shou)(Surge Immunity) 多仰(yang)賴被(bei)動(dong)防護(hu)方(fang)案(an)與(yu)組(zu)件之(zhi)強(qiang)健(jian)度，初(chu)組(zu)件之(zhi)耐壓(ya)選用(yong)與(yu)實(shi)務(wu)電(dian)壓(ya)量測(ce)結(jie)果(guo)較(jiao)為相關，多半無法(fa)取決於(yu)圈數比設計。根據(ju)實(shi)務(wu)經(jing)驗(yan)，此架構要通過(guo)2kV之(zhi)突(tu)波(bo)幹擾(rao)測(ce)試(shi)除了外加突(tu)波(bo)吸收(shou)器(qi)(Varistor)之(zhi)外，初(chu)功(gong)率半導(dao)體可選(xuan)用(yong)800V之(zhi)等(deng)以(yi)上(shang)避免(mian)過(guo)額(e)定(ding)雪崩能量造(zao)成損(sun)毀，目前已(yi)有(you)半導(dao)體商推(tui)出導(dao)通阻抗(kang)與(yu)雜散(san)電(dian)容不(bu)遠於(yu)650V等(deng)之(zhi)900V功(gong)率半導(dao)體，使效(xiao)率(lv)能維持不變(bian)。

(d) 輸(shu)出短(duan)路(lu)與(yu)開路(lu)之(zhi)設計(ji)考慮(lv)

相較(jiao)於(yu)定電(dian)壓(ya)模(mo)式(shi)，定(ding)電(dian)流(liu)模(mo)式(shi)所(suo)進行的輸出短(duan)路(lu)較(jiao)無危(wei)險(xian)，其回(hui)授將試(shi)圖(tu)在輸(shu)出0V情(qing)況下(xia)維持定電(dian)流(liu)而(er)縮減(jian)占(zhan)空比，使輸入功(gong)率降低(di)。而(er)實(shi)務(wu)上(shang)由於(yu)變(bian)壓(ya)器次無(wu)法在(zai)短(duan)路(lu)情(qing)況下(xia)釋能，即(ji)便(bian)器有(you)zui小開關導(dao)通時(shi)間(jian)仍(reng)會(hui)使(shi)變(bian)壓(ya)器儲(chu)能持續叠(die)加(jia)，大多設計仍(reng)需(xu)仰(yang)賴保(bao)護(hu)制(zhi)。設(she)計(ji)PSR之(zhi)短(duan)路(lu)保(bao)護(hu)可(ke)透過(guo)輔(fu)助(zhu)繞組(zu)偵(zhen)測低(di)電(dian)壓(ya)準位(wei)使器(qi)停(ting)止(zhi)動作(zuo)，在瞬(shun)時(shi)期(qi)間則透過(guo)初(chu)峰值(zhi)限(xian)流(liu)可(ke)避免(mian)變(bian)壓(ya)器飽(bao)合(he)。

開路(lu)保(bao)護(hu)應(ying)用(yong)於(yu)燈具(ju)損(sun)壞造(zao)成阻(zu)抗或輸出空接(jie)時(shi)之(zhi)保(bao)護(hu)，為(wei)避免(mian)定(ding)電(dian)流(liu)在(zai)此(ci)情(qing)況下(xia)過(guo)充輸(shu)出電(dian)容造(zao)成零(ling)件(jian)過(guo)壓(ya)損(sun)毀。若(ruo)為可(ke)攜型(xing)外置(zhi)式(shi)驅(qu)動(dong)電(dian)源(yuan)因(yin)考(kao)慮便利(li)而多半將空(kong)載時(shi)操作(zuo)於(yu)定電(dian)壓(ya)模(mo)式(shi)，如(ru)此可使燈具(ju)同充電(dian)器(qi)般(ban)進行熱插(cha)入。在此(ci)模(mo)式(shi)下(xia)將考(kao)慮(lv)輸出電(dian)壓(ya)與待(dai)機損(sun)耗。開路(lu)電(dian)壓(ya)與滿(man)載輸出之(zhi)電(dian)壓(ya)差(cha)關系到(dao)LED在進行熱插(cha)時(shi)之(zhi)湧(yong)浪電(dian)流(liu) (Inrush Current)大小(xiao)，此決(jue)定輸出限流(liu)機制之(zhi)使用(yong)，例如(ru)：采(cai)用(yong)被(bei)動(dong)組(zu)件之(zhi)限流(liu)電(dian)感(gan)與(yu)是(shi)否(fou)置(zhi)入主(zhu)動式(shi)限(xian)流電(dian)路(lu)，部份設計(ji)為(wei)降低(di)湧(yong)浪電(dian)流(liu)而(er)將空(kong)載電(dian)壓(ya)設計(ji)略於(yu)輸出電(dian)壓(ya)以(yi)省(sheng)去(qu)限(xian)流(liu)電(dian)路(lu)。為(wei)未來(lai)2016年(nian)能(neng)源法(fa)規zui嚴(yan)格(ge)之(zhi)待機損(sun)耗低(di)於(yu)75mW，LED驅(qu)動(dong)器設計將是(shi)新(xin)的考驗(yan)，以(yi)下(xia)概(gai)略分(fen)析(xi)轉(zhuan)換器空載各部損(sun)耗，以(yi)輸(shu)出45W/40Vmax之(zhi)單(dan)功(gong)率因數LED驅(qu)動(dong)器為例，假(jia)設(she)與待機功(gong)耗相關之(zhi)重要參數條件(jian)如(ru)下(xia)：

●　輸(shu)出假負載(Dummy load)：200kΩ　

●　200nF X電(dian)容對(dui)應(ying)之(zhi)安規放(fang)電(dian)電(dian)阻(zu)：4 MΩ

●　與(yu)穩壓(ya)電(dian)路(lu)於(yu)空載之(zhi)總損(sun)耗：18mW(18V/1mA)

●　輕(qing)載(20~30mW)情(qing)況下(xia)反(fan)激(ji)式(shi)轉(zhuan)換器效率(lv)：5

綜(zong)合(he)以(yi)上(shang)參(can)數計算，待(dai)機輸入功(gong)率在275Vac輸(shu)入(ru)條件(jian)下(xia)約(yue)72mW，其中電(dian)阻(zu)與(yu)電(dian)路(lu)所(suo)占(zhan)之(zhi)固定(ding)損(sun)耗約(yue)46mW，變(bian)壓(ya)器與(yu)功(gong)率組(zu)件損(sun)耗所(suo)占(zhan)之(zhi)轉(zhuan)換損(sun)失約(yue)為(wei)26mW。以(yi)上(shang)損(sun)耗評(ping)估(gu)未含壓(ya)啟(qi)動(dong)電(dian)路(lu)與(yu)次反(fan)饋電(dian)路(lu)，尤(you)其在(zai)壓(ya)輸出應(ying)用(yong)情(qing)況下(xia)次反(fan)饋電(dian)路(lu)將有(you)不(bu)少(shao)之(zhi)靜(jing)態(tai)損(sun)耗。如(ru)此可(ke)見，反激(ji)式(shi)驅(qu)動(dong)器搭配壓(ya)啟(qi)動(dong)、X電(dian)容放(fang)電(dian)機制與低(di)靜(jing)態(tai)電(dian)流(liu)功(gong)耗將是(shi)未來(lai)法規之(zhi)利器(qi)。

結(jie)論(lun)

單(dan)功(gong)率因數反激轉(zhuan)換器於(yu)中小功(gong)率之(zhi)LED應(ying)用(yong)具(ju)率(lv)與(yu)成本(ben)的優勢(shi)，因(yin)此，本(ben)文(wen)探(tan)討此(ci)轉(zhuan)換器在設(she)計過(guo)程常(chang)遭(zao)遇到(dao)之(zhi)問(wen)題(ti)，並分(fen)享現行可提(ti)升效能的設計(ji)方(fang)式(shi)，其涵(han)蓋到(dao)不同之(zhi)設計(ji)考慮(lv)諸如器(qi)之(zhi)供電(dian)、輸(shu)出度、變(bian)壓(ya)器圈數比選定、總諧(xie)波失真(zhen)等(deng)因素，以(yi)供(gong)設(she)計研發者(zhe)於(yu)開發過(guo)程時(shi)參(can)考。